Описание
Стартап на базе FPGA бросает вызов Nvidia благодаря эффективному использованию памяти
12.03.2025
2SK2331TE12R datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
-
Маркировка2SK2331TE12R
-
ПроизводительTOSHIBA Semiconductor
-
ОписаниеTOSHIBA Semiconductor 2SK2331TE12R Package Shape: RECTANGULAR Package Style: SMALL OUTLINE Surface Mount: Yes Terminal Form: GULL WING Terminal Finish: TIN LEAD Terminal Position: QUAD Number of Terminals: 4 Package Body Material: PLASTIC/EPOXY Configuration: SINGLE Case Connection: SOURCE Number of Elements: 1 Transistor Application: AMPLIFIER Transistor Element Material: GALLIUM ARSENIDE Power Dissipation Ambient-Max: 0.1500 W Channel Type: N-CHANNEL FET Technology: JUNCTION Operating Mode: DEPLETION Transistor Type: RF SMALL SIGNAL Power Gain-Min (Gp): 10 dB Drain Current-Max (ID): 0.1200 A Highest Frequency Band: X BAND
-
Количество страниц5 шт.
-
ФорматPDF
-
Размер файла145,78 KB
2SK2331TE12R datasheet скачать
Новости электроники
Стартап на базе FPGA бросает вызов Nvidia благодаря эффективному использованию памяти
Возникающие проблемы в тестировании беспроводных коммуникаций
11.03.2025
Развитие 5G RF-дизайна: сочетание гибридного соединения и RFSOI для модулей фронтального тракта следующего...
11.03.2025
